目前在市場應(yīng)用方面,排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器" />

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              六個可能讓MOS管失效的原因分析(圖文)

              時間:2018-12-06 15:00:41來源:網(wǎng)絡(luò) 作者:admin 點擊:
              六個可能讓MOS管失效的原因分析
               目前在市場應(yīng)用方面,排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器

              六個可能讓MOS管失效的原因分析


               目前在市場應(yīng)用方面,排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,隨著國情的發(fā)展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了。

                第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。

               

                下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點,然后對1,2重點進行分析:

                雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過達到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。

                SOA失效(電流失效),既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效。

                體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中,由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。

                諧振失效:在并聯(lián)使用的過程中,柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。

                靜電失效:在秋冬季節(jié),由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。

                柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。

                雪崩失效分析(電壓失效)

                到底什么是雪崩失效呢,簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。

                下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖,做為電源工程師可以簡單了解下。

               

                可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析,大多數(shù)廠家都僅僅給一個EAS.EOS之類的結(jié)論,那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢,下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖,我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效。

                雪崩失效的預(yù)防措施

                雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。

                合理降額使用,目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點進行選取。

                合理的變壓器反射電壓。

                合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計。

                大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu),盡量減少布線寄生電感。

                選擇合理的柵極電阻Rg。

                在大功率電源中,可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收。

               

                SOA失效(電流失效)

                再簡單說下第二點,SOA失效

                SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面,造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式;蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導(dǎo)致熱積累,持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。

                關(guān)于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。

               

                受限于最大額定電流及脈沖電流

                受限于最大節(jié)溫下的RDSON。

                受限于器件最大的耗散功率。

                受限于最大單個脈沖電流。

                擊穿電壓BVDSS限制區(qū)

                我們電源上的MOSFET,只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi),就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生。

                這個是一個非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個解刨圖,由于去過鋁,可能看起來不那么直接,參考下。

               

                SOA失效的預(yù)防措施:

                確保在最差條件下,MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持

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                特征 VDS=60V,ID=5A
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                特征
                VDS=-60V,ID=-3A
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                特征
                VDS=-40V,ID=-5A
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